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单晶硅片 | | | 单晶硅片标准
产品等级
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A级
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表面状态
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1.已清洗,切割表面未腐蚀,无油污,无清洗剂残余;
2.硅片表面无明显手感刀痕,凹坑现象.
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缺陷
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无裂痕,裂纹,孔洞V
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边沿状态
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无崩边,硅落,边缘
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晶向
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<100>±2.0°
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氧含量
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≤1×1018 atoms/cm2
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碳含量
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≤5×1016 atoms/cm2
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位错密度
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≤3000pcs/ cm2
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线痕
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≤15um
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导电类型
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P型
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电阻率
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0.5-3,3-6 ohm*cm
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厚度
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200+20um
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单片厚度变化TTV
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≤30um
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翘曲度
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≤50um
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硅片边长尺寸
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125+0.5mm;156+0.5mm
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直径
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150+0.5mm,165+0.5mm;200+0.5mm
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倒角差
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≤0.5mm
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少子寿命
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裸片≥1,钝化后≥10 us
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光衰减比例
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≤3%
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应力
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无应力
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