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单晶硅片

单晶硅片标准

产品等级

A级

 

表面状态

1.已清洗,切割表面未腐蚀,无油污,无清洗剂残余;
2.硅片表面无明显手感刀痕,凹坑现象.

缺陷

无裂痕,裂纹,孔洞V

边沿状态

无崩边,硅落,边缘

晶向

<100>±2.0°

氧含量

≤1×1018 atoms/cm2

碳含量

≤5×1016 atoms/cm2

位错密度

≤3000pcs/ cm2

线痕

≤15um

导电类型

P型

电阻率

0.5-3,3-6 ohm*cm

厚度

200+20um

单片厚度变化TTV

≤30um

翘曲度

≤50um

硅片边长尺寸

125+0.5mm;156+0.5mm

直径

150+0.5mm,165+0.5mm;200+0.5mm

倒角差

≤0.5mm

少子寿命

裸片≥1,钝化后≥10 us

光衰减比例

≤3%

应力

无应力

 
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